近期，存储板块成为市场最强主线之一。
二级市场热度全面扩散。存储芯片大厂闪迪股价延续去年以来的强劲涨势，年内累涨超300%，显著跑赢全球主要股指；韩国存储巨头SK海力士股价强势刷新历史高点；港股兆易创新、澜起科技亦表现不俗，年初至今双双累涨超110%。
今年以来，全球存储芯片价格迎来持续上涨，行业整体进入高景气周期。据市场研究机构TrendForce集邦咨询数据，2026年一季度，常规DRAM合约价涨幅从年初预估的55%-60%，一路上调至90%-95%；NAND Flash合约价涨幅也从33%-38%上调至55%-60%。
进入二季度，存储价格仍在上行，预计一般型DRAM合约价将环比上涨58%至63%、NAND Flash合约价将环比上涨70%至75%。业界普遍预测，本轮存储芯片短缺可能持续至2027年末。
最新的财报与谈判数据印证了涨价的猛烈程度。
4月7日，三星电子披露的2026年一季度业绩显示，当季营业利润约57.2万亿韩元（约合2611亿元人民币），同比激增755%；更为激进的是，据韩媒报道，三星一季度DRAM价格最终涨幅敲定在100%以上，较一个月前谈判的70%水平再度扩大约30个百分点。目前，部分海外客户已完成付款，供货谈判周期已从年度压缩至季度乃至月度。
4月21日，SK海力士公布的Q1财报显示，当季营收达到52.58万亿韩元(355.5亿美元)，同比增长近三倍，首次突破50万亿韩元大关，当季营业利润为37.61万亿韩元，同比增长五倍，利润率达到72%，创下历史新高。
随着SK海力士与美光跟进同等涨幅，三大厂商集体提价、涨势跨季延续的格局已然确立。
AI系统的存储架构
本轮存储芯片涨价的核心驱动力是AI数据中心建设带来的结构性供需失衡。
为什么AI对存储的消耗这么大？
行业普遍估算，与普通服务器相比，每台AI服务器对DRAM和NAND的需求量分别是前者的8倍和3倍。三星、SK海力士、美光三大存储巨头将更多先进制程产能转向高利润的HBM及高端DDR5产品，主动削减DDR4等消费级产线。
要把握这轮存储行情的投资脉络，必须理解AI系统的存储分层架构。存储主要可以分为“易失性”（断电就失忆）的内存和“非易失性”（断电不丢失）的存储。
内存（Memory）：主要包括DRAM和HBM，属于“易失性”介质，断电后就会丢失信息，优势为速度快，劣势为成本高、容量有限，通常访问频繁或者随时变更的数据会保留在较高的存储层。
DRAM（动态随机存取存储器）：即我们常说的内存条（DDR4/DDR5），是连接CPU/GPU与硬盘的桥梁，目前AI服务器基本都在用DDR5。
HBM（高带宽内存）：这是目前最紧缺的环节，通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU封装在一起，HBM提供了远超传统内存的带宽。由于AI大模型训练极度依赖数据传输速度，HBM目前处于“一货难求”的状态，也是三星、SK海力士敢于大幅提价的核心底气。
存储（Storage）：主要包括SSD和HDD，属于“非易失性”介质，优势为容量大、成本低，劣势为性能较弱，通常访问较不频繁或需要长期保存的数据将移动到较低的存储层。
SSD（固态硬盘）：以NAND Flash（闪存）为核心介质，负责数据的实际记录。SSD主要用于存储操作系统和热点数据。随着AI数据集越来越大（常达TB级别），SSD正在快速替代机械硬盘，成为服务器标配，其价格涨幅虽不及DRAM，但同样处于上升通道。
HDD（机械硬盘）：容量巨大，价格便宜天津配资公司，它是目前单位成本最低的存储介质之一，虽然读写速度慢，但凭借极高的单位容量成本优势，依然是海量非结构化数据（如备份、归档）的最终归宿。目前受SSD替代效应影响，其涨价幅度相对温和，但在整体缺货背景下也随行就市。
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